2D Semiconductors：探索微觀世界的力量

2Dsemiconductors公司，旨在重塑材料科學(xué)與工程的整體格局。公司由一群在學(xué)術(shù)研究、制造、技術(shù)、工藝工程及界面設(shè)計(jì)工程領(lǐng)域擁有多元背景的遠(yuǎn)見者共同創(chuàng)立，致力于重新定義量子材料、新興半導(dǎo)體及下一代材料系統(tǒng)的可能性。

2Dsemiconductors致力于彌合學(xué)術(shù)界與工業(yè)界之間的知識(shí)與經(jīng)驗(yàn)鴻溝，挑戰(zhàn)傳統(tǒng)范式，推動(dòng)材料科學(xué)與工程的革新。我們的使命是承擔(dān)行業(yè)伙伴不敢涉足的風(fēng)險(xiǎn)，通過創(chuàng)新材料系統(tǒng)突破科學(xué)與工程發(fā)現(xiàn)的邊界。

2Dsemiconductors始終以研發(fā)為核心，累計(jì)發(fā)布了200余種突破性層狀研發(fā)級(jí)晶體，以行業(yè)推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。這些創(chuàng)新不僅彰顯了技術(shù)實(shí)力，更鞏固了我們?cè)陔娮?、物理、化學(xué)、生物學(xué)及跨學(xué)科科學(xué)領(lǐng)域拓展邊界的地位。通過化學(xué)氣相傳輸、布里奇曼生長(zhǎng)法、熔劑生長(zhǎng)法、原子層沉積、分子束外延、化學(xué)氣相沉積、液相合成、高壓合成等技術(shù)，我們持續(xù)探索并應(yīng)用多元化工藝，打造材料系統(tǒng)。

核心優(yōu)勢(shì)

1.技術(shù)：液相剝離技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.9%純度單層薄膜量產(chǎn)，層數(shù)控制精度達(dá)±1?；

2.規(guī)?；a(chǎn)能力：月產(chǎn)能突破萬平方米，覆蓋從研發(fā)樣品到工業(yè)級(jí)批量的全鏈條需求；

3.材料多樣性：提供20余種二維半導(dǎo)體材料庫，適配光電器件、傳感器、柔性電子等多元場(chǎng)景；

4.質(zhì)量管控體系：通過ISO 9001/14001雙認(rèn)證，材料性能通過IMEC、AIST等國(guó)際機(jī)構(gòu)驗(yàn)證；

5.可持續(xù)發(fā)展：采用無污染制備工藝，碳排放較傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料降低80%。

主要產(chǎn)品、技術(shù)介紹：

1.2'' wafer CVD Monolayers or Few-layers (Select material)

2英寸c向切割藍(lán)寶石襯底上的全覆蓋單層MoS?、MoSe?、WS?、WSe?（少層樣品可定制）。所有CVD生長(zhǎng)的過渡金屬硫族化合物（TMDs）均表現(xiàn)出高發(fā)光特性，拉曼光譜研究進(jìn)一步證實(shí)了單層厚度。

采用化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)合成這些單層材料，在半導(dǎo)體級(jí)潔凈室中使用6N級(jí)（99.9999%）高純度氣體和前驅(qū)體，制備出結(jié)晶度高、晶粒尺寸達(dá)1-50微米的大面積樣品。與常規(guī)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）工藝不同（后者通常存在大范圍缺陷且晶粒尺寸僅10納米至500納米），本工藝生長(zhǎng)的樣品始終保持高結(jié)晶度、高發(fā)光性，且無碳污染層殘留。

2.As2S3 Crystal

硫化砷（As?S?）具有2:3化學(xué)計(jì)量比。經(jīng)過3年累計(jì)250次生長(zhǎng)試驗(yàn)后，實(shí)現(xiàn)了化學(xué)計(jì)量比、大晶疇尺寸（十萬分之一的晶胞缺陷密度）以及超高純度（99.9998%）。塊體形態(tài)下，砷硫化物（As?S?）是直接帶隙半導(dǎo)體，帶隙約2.5 eV。與二硫化鉬類似，其具有層狀（片層）結(jié)構(gòu)，層間耦合較弱，可實(shí)現(xiàn)單層剝離。單層厚度約為0.8 nm，理論預(yù)言的單層As?S?仍待實(shí)驗(yàn)與理論突破。本產(chǎn)品晶體尺寸可達(dá)約8毫米，展現(xiàn)出優(yōu)異的光致發(fā)光特性。采用先進(jìn)生長(zhǎng)技術(shù)培育8周，晶體結(jié)晶度優(yōu)異，拉曼光譜顯示特征峰半高寬小于6 cm?1。As?S?晶體易于機(jī)械剝離，是二維材料研究的理想選擇。

3.2D Heterojunctions

已開發(fā)出可擴(kuò)展的方法，將二維CVD生長(zhǎng)片層背對(duì)背轉(zhuǎn)移以構(gòu)建二維垂直異質(zhì)結(jié)。盡管二維半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)采用無化學(xué)轉(zhuǎn)移工藝，但預(yù)計(jì)在轉(zhuǎn)移過程中仍可能因應(yīng)變、基板和缺陷等因素導(dǎo)致二維層物理性質(zhì)發(fā)生變化。由于生產(chǎn)流程具有高度定制化特性，所有轉(zhuǎn)移類CVD產(chǎn)品一經(jīng)售出概不退款。

該產(chǎn)品展示了我們?cè)诙喾N基板和異質(zhì)結(jié)排布方面的技術(shù)能力。定價(jià)主要取決于基板類型、CVD單層材料以及與您的應(yīng)用場(chǎng)景和樣品規(guī)格相關(guān)的其他技術(shù)挑戰(zhàn)。我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)致力于以經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方式為您打造定制化CVD產(chǎn)品。

目標(biāo)客戶群體

高校與科研院所：提供高純度基礎(chǔ)材料支持基礎(chǔ)研究；

半導(dǎo)體晶圓廠：兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務(wù)；

新能源企業(yè)：鈣鈦礦太陽能電池界面修飾材料定制；

消費(fèi)電子品牌：折疊屏手機(jī)鉸鏈鉸支撐材料及柔性電路基板。

常見問題與解答

Q1：二維半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅基材料相比有何優(yōu)勢(shì)？

A：二維材料具備原子級(jí)厚度、超高載流子遷移率和機(jī)械柔韌性，可突破摩爾定律極限，適用于更高集成度的柔性/異構(gòu)芯片設(shè)計(jì)。

Q2：材料穩(wěn)定性如何保障？

A：通過表面鈍化處理與封裝技術(shù)，產(chǎn)品在空氣環(huán)境中可穩(wěn)定保存12個(gè)月以上，特殊型號(hào)可達(dá)24個(gè)月。

Q3：是否支持小批量定制化生產(chǎn)？

A：是的，最小起訂量為1cm×1cm標(biāo)準(zhǔn)尺寸，交貨周期為4-6周。

Q4：是否有成功商業(yè)化案例？

A：已與OLED面板廠商合作開發(fā)透明導(dǎo)電薄膜，良率達(dá)95%以上。

Q5：環(huán)保合規(guī)性如何？

A：生產(chǎn)過程符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，廢水回收利用率達(dá)98%，獲LEED鉑金級(jí)綠色工廠認(rèn)證。

熱銷產(chǎn)品